La nuova serie CMZBxxA adotta una struttura planare per maggiore affidabilità, minore corrente inversa e prestazioni ottimizzate nelle applicazioni industriali e consumer.
La nuova architettura verticale GaN-on-GaN offre fino al 50% di minori perdite energetiche, tensioni più elevate e commutazioni più rapide, migliorando l’efficienza di veicoli elettrici, data center IA e energie rinnovabili.
Bel Fuse lancia le serie MDP65 e HDP65 con tecnologia GaN in un formato da 1x3 pollici, conformi alla norma IEC/EN 60601-1, per applicazioni medicali, industriali e IT.
Toshiba Electronics Europe presenta i suoi MOSFET a canale N della serie DTMOSVI con un FOM migliorato del 52% e un package TO-247-4L(X) a 4 pin per applicazioni industriali e data center.
Il nuovo diodo RBE01VYM6AFH offre un VF ultra basso inferiore a 300 mV e IR sotto i 20 mA, garantendo protezione affidabile e compatta per telecamere ADAS e industriali.
I nuovi microcontrollori RA8M2 e RA8D2 offrono 7300 Coremark, MRAM integrata, doppia Ethernet Gigabit e grafica avanzata per applicazioni IoT e industriali.
La piattaforma unificata Power Studio semplifica la progettazione dei sistemi di alimentazione, dal concept all’ottimizzazione, con i nuovi tool Planner e Designer.
Combinando l’impilamento a 12 dischi con l’innovazione MAMR, Toshiba punta a hard disk da 40 TB e 3,5 pollici entro il 2027, migliorando densità, durata ed efficienza.