05 {{ "2023-09-05T00:00:00+00:00" | date "MMM" }} '23

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Leuze IT

Leuze: Interazioni dinamiche rese sicure

Durante il trasferimento automatizzato di materiale tra la cella robotizzata e il veicolo a guida automatica, le persone non devono entrare inosservate nella zona di pericolo.

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26 {{ "2023-04-26T00:00:00+00:00" | date "MMM" }} '23

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Rohm Semiconductors News

I dispositivi a infrarossi a onde corte (SWIR) di ROHM, i più piccoli del settore* – Ideali per nuove applicazioni di rilevamento in dispositivi portatili e indossabili

ROHM ha implementato la tecnologia per la produzione in massa dei dispositivi a raggi infrarossi a onde corte (Short-Wavelength Infrared, SWIR) in package 1608 (1,6 mm × 0,8 mm), i più piccoli del settore, per dispositivi portatili/indossabili/auricolari che richiedono funzioni di rilevamento.

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07 {{ "2023-04-07T00:00:00+00:00" | date "MMM" }} '23

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Rohm Semiconductors News

I nuovi driver LED a 4/6 canali di ROHM destinati alla retroilluminazione LCD

Il dimmeraggio sia DC che PWM integrato supporta un'ampia serie di requisiti di progettazione.

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23 {{ "2023-03-23T00:00:00+00:00" | date "MMM" }} '23

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Rohm Semiconductors News

ROHM consolida la tecnologia dei circuiti integrati di controllo ultra-veloci, che spinge i dispositivi GaN ai massimi livelli di performance

Risparmi energetici e miniaturizzazione superiori per le applicazioni di potenza grazie all'abbinamento di dispositivi GaN e controllo controllori.

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22 {{ "2023-03-22T00:00:00+00:00" | date "MMM" }} '23

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ONSEMI News

ONSEMI descrive le principali differenze tra i transistor GAN e SIC

Dopo diversi decenni durante i quali il silicio era di gran lunga il materiale più utilizzato per realizzare transistor, lo scenario è gradualmente cambiato.

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21 {{ "2023-03-21T00:00:00+00:00" | date "MMM" }} '23

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Leuze IT

Gestione semplice delle interfacce in tutti gli ambienti di controllo con la "connettività integrata" di Leuze

Se il sensore e l'interfaccia funzionano perfettamente in un sistema, si creano vantaggi per la messa in servizio, il monitoraggio della macchina e l'ottimizzazione del processo. Leuze lo rende possibile con il concetto di "connettività integrata".

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10 {{ "2023-03-10T00:00:00+00:00" | date "MMM" }} '23

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Rohm Semiconductors News

I nuovi Current Sense Amplifier IC con precisione del ±1% di ROHM riducono l’area di montaggio del 46% circa rispetto alle soluzioni convenzionali

Ampio range di tensione di ingresso (da –0,2V a +26V) ideale per applicazioni di rilevamento di corrente alimentate a 12/24V.

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02 {{ "2023-03-02T00:00:00+00:00" | date "MMM" }} '23

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Rohm Semiconductors News

Gli LDO primari e compatti di ROHM con tensione di uscita altamente stabile sono ideali per alimentatori ridondanti

Alimentazione per le funzioni principali garantita anche in caso di malfunzionamento del sistema del veicolo.

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08 {{ "2023-02-08T00:00:00+00:00" | date "MMM" }} '23

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Rohm Semiconductors News

I nuovi low side switch di ROHM sono compatti e smart: riducono la perdita di potenza e aumentano la sicurezza grazie alla tecnologia brevettata TDACC per circuiti e dispositivi

L’alternativa a relé meccanici e MOSFET che soddisfa i requisiti di sicurezza funzionale nelle applicazioni per l’automotive e le apparecchiature industriali.

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20 {{ "2022-12-20T00:00:00+00:00" | date "MMM" }} '22

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Rohm Semiconductors News

Il contributo dei nuovi MOSFET di ROHM a una maggiore efficienza e a un funzionamento più sicuro grazie all'originale struttura isolante

Dissipazione di potenza ai vertici della categoria, in un package compatto, ideale per dispositivi piccoli e sottili.

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Durante il trasferimento automatizzato di materiale tra la cella robotizzata e il veicolo a guida automatica, le persone non devono entrare inosservate nella zona di pericolo.

ROHM ha implementato la tecnologia per la produzione in massa dei dispositivi a raggi infrarossi a onde corte (Short-Wavelength Infrared, SWIR) in package 1608 (1,6 mm × 0,8 mm), i più piccoli del settore, per dispositivi portatili/indossabili/auricolari che richiedono funzioni di rilevamento.

Il dimmeraggio sia DC che PWM integrato supporta un'ampia serie di requisiti di progettazione.

Risparmi energetici e miniaturizzazione superiori per le applicazioni di potenza grazie all'abbinamento di dispositivi GaN e controllo controllori.

Dopo diversi decenni durante i quali il silicio era di gran lunga il materiale più utilizzato per realizzare transistor, lo scenario è gradualmente cambiato.

Se il sensore e l'interfaccia funzionano perfettamente in un sistema, si creano vantaggi per la messa in servizio, il monitoraggio della macchina e l'ottimizzazione del processo. Leuze lo rende possibile con il concetto di "connettività integrata".

Ampio range di tensione di ingresso (da –0,2V a +26V) ideale per applicazioni di rilevamento di corrente alimentate a 12/24V.

Alimentazione per le funzioni principali garantita anche in caso di malfunzionamento del sistema del veicolo.

L’alternativa a relé meccanici e MOSFET che soddisfa i requisiti di sicurezza funzionale nelle applicazioni per l’automotive e le apparecchiature industriali.

Dissipazione di potenza ai vertici della categoria, in un package compatto, ideale per dispositivi piccoli e sottili.

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