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MOSFET Super Junction da 600V ad alta efficienza

ROHM presenta dispositivi di potenza a montaggio superficiale per migliorare l'efficienza degli alimentatori per server e supportare applicazioni industriali ad alta densità.

  www.rohm.com
MOSFET Super Junction da 600V ad alta efficienza

ROHM ha lanciato le serie R60xxXNx e R60xxWNx di MOSFET Super Junction da 600V per rispondere alla crescente domanda di maggiore densità di potenza ed efficienza termica nei data center e negli alimentatori industriali. Questi nuovi componenti integrano capacità di commutazione ad alta velocità con un packaging avanzato a montaggio superficiale per supportare architetture elettroniche con vincoli di spazio, inclusi i server per l'intelligenza artificiale.

Gestione dei vincoli di densità di potenza nei data center
Man mano che i carichi di elaborazione nei data center e nei server IA aumentano, la corrispondente domanda di energia richiede prestazioni termiche migliorate e un consumo energetico ridotto. Le serie R60xxXNx e R60xxWNx affrontano questa limitazione fisica passando a package compatti a montaggio superficiale. La linea di prodotti include il DFN8080-5L che misura 8,0 per 8,0 per 0,85 millimetri e il package TOLL di 11,68 per 9,9 per 2,3 millimetri. Questi fattori di forma a basso profilo offrono la dissipazione del calore necessaria per ridurre al minimo l'accumulo termico nei circuiti di alimentazione ad alta densità, consentendo agli ingegneri di massimizzare la resa all'interno di ingombri fisici limitati.

Standardizzazione e compatibilità per l'approvvigionamento multiplo
Per mitigare i rischi di approvvigionamento della catena logistica e facilitare il ricorso a fonti secondarie, questi package a montaggio superficiale utilizzano ingombri comuni sul mercato. La tensione di soglia del gate richiesta per attivare il MOSFET è specificata tra 3V e 5V, allineandosi ai requisiti standard del settore e consentendo un'ampia compatibilità delle condizioni di pilotaggio. Questa specifica elettrica consente ai progettisti hardware di integrare questi componenti nelle configurazioni di alimentazione esistenti senza richiedere ampie modifiche ai circuiti. Inoltre, le caratteristiche di ammettenza migliorate producono perdite operative inferiori rispetto alle iterazioni precedenti, come le serie convenzionali R60xxYNx e R60xxVNx.

Prestazioni di commutazione e versatilità di applicazione
Il portafoglio completo comprende 32 modelli distinti su misura per specifiche priorità operative. Questo include 21 modelli all'interno della serie R60xxXNx a commutazione rapida e 11 modelli nella serie R60xxWNx, che presenta caratteristiche di recupero ad alta velocità integrate. Questa divisione consente agli ingegneri hardware di selezionare le configurazioni in base a precisi requisiti architettonici, sia che la progettazione privilegi la compatibilità per la sostituzione diretta dei componenti, sia che si concentri interamente sulla minimizzazione delle perdite di commutazione nelle apparecchiature industriali.

Contesto aggiuntivo
Questa sezione descrive in dettaglio le specifiche tecniche e il benchmarking competitivo non inclusi nel comunicato stampa originale.

Il mercato dei MOSFET Super Junction da 600V presenta alternative consolidate come la serie CoolMOS di Infineon, MDmesh di STMicroelectronics e SuperFET di onsemi. All'interno di questi ecosistemi competitivi, i package TOLL e DFN 8x8 vengono costantemente utilizzati per ottenere una bassa induttanza parassita del package e capacità di ciclo termico superiori rispetto ai tradizionali package a foro passante. Il benchmarking oggettivo per questi dispositivi ad alta tensione comporta tipicamente la valutazione della resistenza in conduzione specifica moltiplicata per la carica del gate, una metrica stabilita come figura di merito. I package TOLL standard di questi produttori forniscono una riduzione misurabile dell'area di ingombro sul circuito stampato rispetto ai componenti D2PAK standard, pur mantenendo una resistenza termica tra giunzione e case altamente comparabile. L'intervallo standardizzato della tensione di soglia del gate da 3V a 5V garantisce che i circuiti integrati dei driver di gate standard possano funzionare in modo intercambiabile tra questi diversi marchi, fornendo la stabilità di approvvigionamento multiplo richiesta per la produzione automobilistica e industriale ad alto volume.

Edito da Aishwarya Mambet, redattrice di Induportals, con il supporto dell’IA.

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