ROHM presenta il MOSFET Wide-SOA per i circuiti di sicurezza automotive

ROHM ha introdotto il modello RS4P063BPHZG, un nuovo MOSFET da 100V ottimizzato per le funzioni di sicurezza e i circuiti di protezione nel settore automotive. Racchiuso nel formato standard industriale 5060 (HPLF5060), il dispositivo raggiunge un'area di funzionamento sicuro estesa (Wide Safe Operating Area - SOA) ai vertici della categoria. Grazie a un design proprietario che sopprime efficacemente il breakdown secondario, il MOSFET offre una tolleranza SOA pari a circa cinque volte quella dei prodotti standard di dimensioni equivalenti in condizioni di tensione drain-source di 100V (VDS) e ampiezza d'impulso di 100µs.

Maggiore affidabilità e facilità di integrazione
Questa capacità SOA ampliata migliora l'affidabilità dei sistemi automotive esposti a carichi di elevata potenza momentanei, come i circuiti di accensione per gli airbag, i comandi dei pretensionatori delle cinture di sicurezza e i circuiti di interruzione tramite valvole pirotecniche (pyro-fuse) per l'isolamento della batteria. L'utilizzo del formato di package ampiamente diffuso da 5,0 × 6,0 mm consente agli ingegneri del settore automotive di inserire facilmente il nuovo MOSFET nei layout di circuito stampato (PCB) esistenti, riducendo il carico di lavoro e i costi associati a modifiche progettuali estese. La produzione in serie dell'RS4P063BPHZG è iniziata a giugno 2026, con disponibilità tramite i principali distributori. ROHM sta attualmente sviluppando ulteriori MOSFET Wide-SOA in formati più grandi HPLF8080 (8,0 × 8,0 mm) e TOLG (9,9 × 11,7 mm) per ampliare ulteriormente la propria offerta dedicata alla sicurezza automotive.




Contesto aggiuntivo: Background tecnologico e dinamiche di mercato
Questa sezione fornisce informazioni tecnologiche e di mercato non esplicitamente dettagliate nel comunicato originale.

L'area di funzionamento sicuro (Safe Operating Area - SOA) definisce i rigorosi limiti di tensione e corrente entro i quali un semiconduttore di potenza può operare senza subire danni irreversibili. Storicamente, il breakdown secondario – una modalità di guasto catastrofico guidata dalla concentrazione localizzata di corrente e dal surriscaldamento incontrollato (hotspot) – era associato principalmente ai transistor bipolari. Tuttavia, man mano che i moderni MOSFET sono stati miniaturizzati per ottenere una minore resistenza di conduzione, sono diventati sempre più vulnerabili a simili instabilità termiche sotto stress di alta tensione e corrente. Nelle applicazioni automotive critiche per la sicurezza, come l'attivazione degli airbag o l'azionamento di fusibili pirotecnici per scollegare istantaneamente le batterie dei veicoli elettrici in caso di collisione, i componenti di commutazione devono sopravvivere a picchi di potenza massicci della durata di un millisecondo. Riprogettando la struttura in silicio per sopprimere questi hotspot localizzati, ROHM ha spinto verso l'esterno i limiti termici della SOA. Ciò consente ai fornitori di Primo Livello (Tier 1) di utilizzare package a montaggio superficiale più piccoli per gestire carichi transitori estremi, risparmiando prezioso spazio sulla scheda senza compromettere la sicurezza.

A cura di Lekshman Ramdas, redattore di Induportals – adattato tramite IA.

www.rohm.com