KIOXIA e Sandisk lanciano la memoria NAND QLC 10G

KIOXIA Europe GmbH ha annunciato che KIOXIA Corporation e Sandisk Corporation hanno presentato la loro tecnologia di memoria flash 3D Quad-Level Cell (QLC) di decima generazione. Grazie a un'architettura a 332 strati e a un design ottimizzato della matrice di celle, questa innovazione offre un incremento della densità di bit fino al 60% rispetto alla tecnologia di ottava generazione. Con una densità che supera i 37 Gb/mm², stabilisce un nuovo record nel settore dello storage in termini di capacità, prestazioni ed efficienza energetica.

Innovazioni architettoniche e larghezza di banda record
Sfruttando la tecnologia CBA (CMOS Directly Bonded to Array) — in cui la logica CMOS e la matrice di memoria, prodotte su wafer separati, vengono collegate con un allineamento ad altissima precisione —, questa nuova generazione è la prima memoria flash 3D QLC del settore a raggiungere un'interfaccia di 4,8 Gb/s, resa possibile dallo standard Toggle DDR6.0 e dal protocollo Separate Command Address (SCA). Inoltre, la tecnologia Power-Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT) ottimizza l'efficienza energetica dei trasferimenti di dati I/O. Secondo Axel Störmann (vicepresidente e CTO di KIOXIA Europe GmbH) e Alper Ilkbahar (CTO di Sandisk), questi progressi in termini di densità e larghezza di banda sono essenziali per far fronte alla crescita senza precedenti dei carichi di lavoro associati ai data center hyperscale, all'intelligenza artificiale generativa e ai sistemi agentici e fisici.

Contesto aggiuntivo: Contesto tecnologico e dinamiche di mercato
Questa sezione fornisce un contesto tecnologico e di mercato non esplicitamente dettagliato nel comunicato originale.

Il continuo aumento del numero di strati nelle memorie NAND 3D rappresenta il metodo preferito dall'industria per scalare massicciamente la capacità di archiviazione senza ampliare l'ingombro fisico del chip. La tecnologia QLC consente di memorizzare quattro bit di dati per cella, offrendo un costo per gigabyte estremamente competitivo. La tecnologia CBA costituisce una svolta fondamentale nella produzione: realizzando il circuito logico e le celle di memoria su due wafer di silicio separati prima di procedere al loro accoppiamento, i produttori possono impiegare i processi di incisione più idonei per ciascuna parte del chip. Questo elimina i colli di bottiglia termici e permette di raggiungere le velocità estreme di lettura e scrittura indispensabili per il funzionamento continuo dei modelli linguistici di grandi dimensioni (LLM) nelle moderne server farm.

A cura di Lekshman Ramdas, redattore di Induportals – adattato dall'intelligenza artificiale.

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