MOSFET di Potenza 80 V per Sistemi Automotive a 48 V

ROHM ha lanciato la serie AG16xFNxx di MOSFET di potenza da 80 V, progettata specificamente per i nuovi sistemi di alimentazione automobilistici da 48 V. Questo hardware fornisce un'alternativa altamente efficiente e salvaspazio ai dispositivi standard da 100 V per l'uso nei circuiti di controllo degli inverter principali, nei motori elettrici e nelle pompe dell'acqua elettriche.

Transizione alle Architetture di Alimentazione Automobilistica da 48 V
Nel settore automobilistico, le crescenti richieste elettriche nei modelli di veicoli di fascia alta stanno guidando una transizione dalle reti convenzionali a 12 V ai sistemi di alimentazione a 48 V. Questo cambiamento architettonico, la cui implementazione diffusa è prevista entro la fine del decennio, richiede componenti a semiconduttore che ottimizzino l'efficienza energetica. Utilizzando MOSFET di potenza da 80 V all'interno dell'ecosistema dei dati automobilistici, gli ingegneri possono ottenere perdite di potenza inferiori rispetto a quelle tipicamente riscontrate nei dispositivi standard da 100 V, migliorando così l'efficienza complessiva dell'erogazione di potenza del veicolo.

Riduzione delle Dimensioni e Meccanismi di Affidabilità dei Circuiti Stampati
L'hardware appena rilasciato consente una significativa riduzione dello spazio sulla scheda rispetto ai package MOSFET automobilistici standard come il TO-252, che misura 6,6 per 10,0 millimetri. Il nuovo AG160FNS4FRA utilizza il package HPLF5060 che misura 4,9 per 6,0 millimetri, mentre l'AG166FNH7FRA utilizza il package DFN3333 di soli 3,3 per 3,3 millimetri.

Per mantenere l'integrità strutturale sui PCB (Circuiti Stampati) sotto stress termico e meccanico, l'HPLF5060 incorpora terminali ad ala di gabbiano (Gull-Wing) e il DFN3333 utilizza la tecnologia a fianchi bagnabili (Wettable Flank). Entrambi i package integrano la tecnologia di giunzione con clip in rame per massimizzare la dissipazione del calore, abbassando la resistenza termica e consentendo ai dispositivi di gestire in sicurezza correnti continue elevate. Tutte le configurazioni sono certificate per la conformità allo standard di affidabilità automobilistica AEC-Q101.

Stato della Produzione e Sviluppo Futuro dei Package
La produzione di massa dei modelli AG160FNS4FRA e AG166FNH7FRA è iniziata nell'aprile 2026, con canali di distribuzione attivi tramite fornitori come DigiKey e Farnell. Sono in corso anche sforzi ingegneristici per espandere questa linea di componenti da 80 V con il package TOLG (TO-Leaded con Gullwing), che misurerà 9,9 per 11,7 millimetri, per supportare specifiche di potenza più elevate nelle applicazioni di trasmissione più grandi.

Contesto Aggiuntivo
Questa sezione descrive in dettaglio le specifiche tecniche e il benchmarking competitivo non inclusi nel comunicato stampa originale.

Nel mercato dei semiconduttori per il settore automobilistico, i MOSFET trench da 80 V sono rigorosamente valutati in base alla resistenza in conduzione drain-source e alla resistenza termica giunzione-case. Offerte comparabili da parte di fornitori di primo livello consolidati, come la serie automobilistica OptiMOS di Infineon o i MOSFET trench di Nexperia, utilizzano un simile collegamento con clip in rame in ingombri standard di 5x6 millimetri per ridurre al minimo l'induttanza parassita e ottenere una bassa resistenza in stato di conduzione. Inoltre, l'implementazione dei fianchi bagnabili nei package DFN è diventata un punto di riferimento standard del settore. Questa specifica caratteristica del package garantisce filetti di saldatura visibili, consentendo l'ispezione ottica automatizzata durante l'assemblaggio dei circuiti stampati: un passaggio obbligatorio di controllo della qualità per l'elettronica automobilistica che i package standard a terminali piatti non possono supportare in modo affidabile.

Edito da Aishwarya Mambet, redattrice di Induportals, con il supporto dell’IA.

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