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ROHM lancia nuovi modelli SPICE L3 con velocità di simulazione migliorata

I modelli L3 per MOSFET SiC di quarta generazione riducono i tempi di simulazione del 50% garantendo precisione e stabilità.

  www.rohm.com
ROHM lancia nuovi modelli SPICE L3 con velocità di simulazione migliorata

I modelli possono essere scaricati dalla sezione Models & Tools (modelli e strumenti) nelle pagine dei singoli prodotti MOSFET SiC di quarta generazione

ROHM ha annunciato il lancio di nuovi modelli SPICE di livello 3 (L3) che forniscono una convergenza decisamente migliorata e una performance di simulazione più rapida.

Considerando che le perdite di potenza dei semiconduttori hanno un impatto significativo sull’efficienza generale del sistema, la precisione di simulazione durante la fase di progettazione è fondamentale. I precedenti modelli SPICE di livello 1 di ROHM per i MOSFET SiC rispondevano a questa esigenza replicando con precisione le caratteristiche chiave del dispositivo. Tuttavia, sfide come i problemi di convergenza della simulazione e i tempi di calcolo prolungati hanno rivelato la necessità di un ulteriore perfezionamento.

I nuovi modelli L3 utilizzano un approccio semplificato che conserva sia la stabilità di calcolo che forme d'onda di commutazione accurate, riducendo simultaneamente il tempo di simulazione del 50% circa rispetto ai modelli L1. Ciò consente di effettuare analisi transitorie di alta precisione degli interi circuiti a una velocità notevolmente superiore, semplificando la valutazione dei dispositivi e delle perdite nella fase di progettazione dell'applicazione.

Ad aprile 2025, ROHM ha rilasciato 37 modelli L3 per i suoi MOSFET SiC di quarta generazione, disponibili per il download direttamente dalla sezione Models & Tools (modelli e strumenti) di ogni pagina di prodotto. I modelli L1 continueranno a essere offerti insieme alle nuove versioni. Viene inoltre fornito un white paper completo che facilita l'adozione del modello.


Informazioni correlate

In prospettiva, ROHM continua a impegnarsi per il progresso della tecnologia di simulazione e consentire la progettazione di applicazioni più performanti e più efficienti, promuovendo una continua innovazione nei sistemi di conversione di potenza.

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