ROHM presenta un gate driver isolato per HEMT GaN ad alta tensione
Il gate driver BM6GD11BFJ-LB di ROHM offre una commutazione a 2 MHz con immunità al rumore di 150 V/ns per applicazioni efficienti di alimentazione di server e motori.
www.rohm.com
Con il BM6GD11BFJ-LB, ROHM ha sviluppato un gate driver isolato, appositamente ottimizzato per il funzionamento degli HEMT HV-GaN. In combinazione con i componenti GaN, questo driver consente un funzionamento stabile in condizioni di commutazione rapida e ad alta frequenza, contribuendo così a una maggiore miniaturizzazione ed efficienza in applicazioni ad alta corrente come motori e alimentatori per server.
Con l'aumento dei consumi energetici in tutto il mondo, le misure di risparmio energetico sono diventate una priorità comune a livello globale. I motori e gli alimentatori da soli rappresentano circa il 97% del consumo mondiale di elettricità. Per ottenere una maggiore efficienza in questi sistemi, è sempre più necessario utilizzare dispositivi ad ampio bandgap come SiC e GaN.
Sfruttando la propria esperienza nello sviluppo di circuiti integrati con gate driver isolato per semiconduttori al silicio e dispositivi SiC, ROHM ha introdotto questo nuovo circuito integrato come il primo di una serie di soluzioni con gate driver isolato per dispositivi GaN. La trasmissione affidabile del segnale si ottiene isolando il dispositivo dal circuito di controllo durante le operazioni di commutazione con rapidi cicli di salita e discesa della tensione.
Il BM6GD11BFJ-LB utilizza una tecnologia proprietaria di isolamento on-chip per ridurre la capacità parassita, consentendo il funzionamento ad alta frequenza fino a 2 MHz. Questo massimizza le capacità di commutazione ad alta frequenza dei dispositivi GaN e non solo contribuisce ad aumentare l'efficienza energetica e le prestazioni delle applicazioni, ma riduce anche l'area di montaggio minimizzando le dimensioni dei componenti periferici.
Allo stesso tempo, il CMTI (Common-Mode Transient Immunity - un indicatore dell'immunità ai disturbi nei circuiti integrati gate driver isolati dal rumore) è stato aumentato a 150 V/ns. Si tratta di un valore circa 1,5 volte superiore a quello dei prodotti convenzionali, che previene i malfunzionamenti causati dagli elevati slew rate tipici dei circuiti GaN HEMT. La larghezza minima dell'impulso è stata ridotta a soli 65 ns, il 33% in meno rispetto ai prodotti tradizionali. Questi miglioramenti delle prestazioni consentono un funzionamento stabile e affidabile a frequenze più elevate, riducendo al minimo la perdita di potenza grazie a un migliore controllo del ciclo di funzionamento.
Con un intervallo di tensione di pilotaggio del gate compreso tra 4,5 V e 6,0 V e una tensione di isolamento di 2500 Vrms, il BM6GD11BFJ-LB è progettato per supportare pienamente un'ampia gamma di dispositivi GaN ad alta tensione, tra cui il nuovo HEMT EcoGaN™ da 650 V di ROHM. Il basso consumo di corrente sul lato di uscita, leader nel settore, pari a 0,5 mA (max.), riduce anche la potenza in standby, migliorando così l'efficienza complessiva del sistema.
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