Il fotoaccoppiatore driver di gate di Toshiba migliora la sicurezza dei MOSFET SiC in ambito industriale

Toshiba Electronics Europe GmbH ha lanciato un fotoaccoppiatore driver di gate adatto a pilotare MOSFET al carburo di silicio (SiC) in apparecchiature industriali come inverter industriali, gruppi di continuità (UPS) e inverter fotovoltaici (PV), che operano in ambienti termici difficili. Il TLP5814H è un driver di gate altamente integrato con un circuito di clamp attivo Miller incorporato, che migliora la sicurezza del sistema e riduce le dimensioni complessive eliminando componenti esterni aggiuntivi.

Il circuito di clamp attivo Miller integrato nel TLP5814H ha una resistenza di canale di 0,69Ω (tip.) e una corrente di sink massima di 6,8A. Queste caratteristiche aiutano a prevenire il fenomeno dell’autoaccensione nei dispositivi di potenza sensibili, come MOSFET SiC e IGBT, riducendo la necessità di un’alimentazione negativa e di un circuito di clamp esterno.

Il fotoaccoppiatore fornisce una corrente di uscita di picco di +6,8/-4,8A con uscita rail-to-rail, migliorando le prestazioni di commutazione e garantendo un funzionamento stabile. Uno schermo interno di Faraday assicura un’immunità ai transitori in modo comune di almeno ±70kV/µs.

Il TLP5814H può funzionare in modo affidabile da -40 a 125°C, grazie a un LED a infrarossi migliorato e a un array di fotodiodi ad alta velocità e guadagno ottimizzato, che aumentano l’efficienza dell’accoppiamento ottico.

Per una maggiore flessibilità del layout, il TLP5814H è disponibile in un compatto package SO8L di 5,85 × 10 × 2,1 mm, con una distanza di isolamento minima di 8,0 mm, ideale per applicazioni ad alta prestazione d’isolamento.

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