Onsemi: i nuovi moduli IGBT di 7° generazione semplificano la progettazione e riducono i costi delle applicazioni di energia rinnovabile
Il modulo QDual3 offre il 10% di potenza in più a parità di formato e soglia termica.
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I nuovi moduli di potenza QDual3 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) di settima generazione di onsemi offrono maggiore densità di potenza e fino al 10% di potenza di uscita in più rispetto ad altri prodotti concorrenti. Basato sulla più recente tecnologia IGBT Field Stop 7 (FS7), il modulo QDual3 da 800 ampere (A) garantisce infatti un'efficienza leader nel settore, consentendo di ridurre i costi di sistema e semplificare la progettazione. In un inverter da 150KW, il modulo QDual3 limita le perdite di 200 watt (W) rispetto alla più stretta concorrenza, riducendo significativamente le dimensioni del dissipatore.
QDual3 è progettato per funzionare in condizioni difficili, il che lo rende ideale per convertitori elettronici ad alta potenza come gli inverter centrali degli impianti solari, i sistemi di accumulo di energia (ESS), i veicoli agricoli commerciali (CAV) e gli azionamenti dei motori industriali. Attualmente sono disponibili due diversi prodotti, a seconda delle applicazioni: il NXH800H120L7QDSG e il SNXH800H120L7QDSG.
Perché è importante: La crescente adozione delle energie rinnovabili amplifica la necessità di soluzioni capaci di gestire i picchi della domanda e garantire la continuità della fornitura. In questo scenario il Peak Shaving, la pratica di ridurre l'uso dell'elettricità durante le ore di punta, è essenziale per mantenere la stabilità della rete e ridurre i costi. Utilizzando i moduli QDual3, i produttori possono costruire inverter ed ESS che, a parità di dimensioni, sono in grado di generare maggiore quantità energia. Negli impianti più grandi, i moduli QDual3 possono essere messi in parallelo per aumentare la potenza di uscita fino a un paio di MW e, rispetto alle soluzioni tradizionali con moduli da 600 A, il QDual3 da 800 A riduce significativamente la quantità di moduli necessaria, semplificando notevolmente la complessità della progettazione e abbattendo i costi del sistema.
Come funziona: I moduli IGBT QDual3 presentano una configurazione half-bridge da 800 A che integra IGBT trench Field Stop Gen7 e relativo diodo, sfruttando le tecniche di packaging avanzate di onsemi, con l’obiettivo di ridurre le perdite di commutazione e conduzione. Grazie alla tecnologia FS7, le dimensioni del die si riducono del 30%, consentendo un maggior numero di die per modulo e aumentando la densità di potenza per abilitare una capacità di corrente massima fino a 800 A o superiore. Con una Vce(sat) dell'IGBT pari a 1,75V (a 1750C) e un basso Eoff, il modulo QDual3 da 800 A garantisce una dissipazione di energia del 10% inferiore rispetto all'alternativa migliore. I moduli QDual3 soddisfano anche i severi standard richiesti dall’applicazione in ambito automotive.
"Il crescere dell'elettrificazione delle flotte commerciali, inclusi camion e autobus, e la necessità di fonti di alimentazione rinnovabili richiedono soluzioni in grado di generare, immagazzinare e distribuire energia in modo più efficiente. Trasferire energia dalle fonti rinnovabili alla rete, ai sistemi di accumulo e ai carichi a valle, con le minori perdite di potenza possibili, è infatti un processo sempre più critico", ha dichiarato Sravan Vanaparthy, Vice President, Industrial Power Division, Power Solutions Group di onsemi. “Grazie al pin-out standard del settore e all’efficienze leader nel mercato, QDual3 consente ai progettisti dell’elettronica di potenza, con un semplice plug and play dei moduli, di ottenere un immediato aumento delle prestazioni dei loro sistemi.”
Ulteriori informazioni:
Pagina del prodotto: NXH800H120L7QDSG, SNXH800H120L7QDSG
Data sheet: NXH800H120L7QDSG, SNXH800H120LQDSG
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