Toshiba introduce nuovi MOSFET automotive in un package innovative

I nuovi dispositivi utilizzano un package S-TOGLTM (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) innovativo che offre una serie di vantaggi nelle applicazioni automotive.

Le applicazioni critiche per la sicurezza automotive, come i sistemi di sterzo, frenata e guida autonoma richiedono in genere, rispetto ad altri sistemi, un numero superiore di dispositivi per soddisfare i requisiti di ridondanza. In questo caso, a causa dei vincoli dimensionali all'interno degli apparecchi automotive, è necessario un MOSFET di potenza ad alta densità di corrente.

I nuovi XPJR6604PB e XPJ1R004PB presentano una tensione nominale VDSS di 40V e l'XPJR6604PB offre una corrente di drain in continua (ID) di 200A (XPJ1R004PB = 160A). Entrambi i dispositivi sono caratterizzati da una corrente impulsata (IDP) pari a 3 volte questo valore, di 600A e 480A rispettivamente. La corrente nominale di 200A è superiore rispetto a quella raggiunta dal package DPAK+ da 6,5 mm × 9,5 mm di Toshiba.

I nuovi MOSFET automotive XPJR6604PB e XPJ1R004PB utilizzano l’innovativo package S-TOGLTM di Toshiba, che misura appena 7,0mm × 8,44mm × 2,3mm. I prodotti sono privi di supporti e presentano una struttura multi-pin per i pin sorgente che diminuisce significativamente la resistenza del package.

La combinazione del package S-TOGLTM con il processo U-MOS IX-H di Toshiba offre al MOSFET XPJR6604PB un valore di resistenza di on (RDS(ON)) di soli 0,66 mΩ (XPJ1R004PB = 1,0 mΩ), che rappresenta una riduzione di circa l'11% rispetto al MOSFET TKR74F04PB esistente di Toshiba alloggiato in package TO-220SM(W) . Rispetto a quest’ultimo dispositivo, l'area di montaggio è ridotta di circa il 55%, pur mantenendo i valori caratteristici di resistenza termica dal canale verso il case (Zth(ch-c)) dei MOSFET XPJR6604PB = 0,4oC/W e XPJ1R004PB = 0,67oC/W.

Molte applicazioni automotive si trovano in ambienti estremamente gravosi, quindi l'affidabilità dei giunti di saldatura per il montaggio superficiale costituisce un aspetto critico. Il package S-TOGLTM di Toshiba utilizza connettori ad ali di gabbiano che riducono le sollecitazioni di montaggio, migliorando l'affidabilità del giunto di saldatura. I MOSFET sono adatti per ambienti con temperature estreme, sono qualificati AEC-Q101 e sono in grado di funzionare con temperature di canale (Tch) fino a 175oC.

Toshiba offre spedizioni abbinate dei dispositivi, con una variabilità delle tensioni di soglia di gate che non supera 0,4V per ogni bobina. Ciò consente di ottenere formati con piccole variazioni delle caratteristiche, per le applicazioni che richiedono connessioni in parallelo per il funzionamento ad alta corrente.

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