I nuovi circuiti integrati per stadi di potenza EcoGaN di ROHM contribuiscono alla riduzione di dimensioni e perdite

Volume dei componenti ridotto del 99% e perdita di potenza ridotta del 55% con la sostituzione dei MOSFET al silicio.

ROHM ha sviluppato circuiti integrati per stadi di potenza con HEMT al GaN da 650 V e gate driver integrati - la serie BM3G0xxMUV-LB. I dispositivi sono l'ideale per gli alimentatori primari destinati ad applicazioni industriali e di consumo, quali server di dati e adattatori AC.




Da qualche anno a questa parte i settori di consumo e dell'industria vanno sempre più richiedendo maggiori risparmi energetici per realizzare una società sostenibile. Tuttavia, pur contando sul fatto che gli HEMT al GaN contribuiranno sensibilmente all'aumento della miniaturizzazione e al miglioramento dell’efficienza della conversione di potenza, la difficile gestione del gate rispetto ai MOSFET al silicio impone l'uso di un gate driver dedicato. Una problematica alla quale ROHM ha risposto con lo sviluppo di circuiti integrati per stadi di potenza che integrano HEMT al GaN e gate driver in un unico package sfruttando la potenza del core e le tecnologie analogiche, con un vantaggio considerevole in fase di montaggio.

Infine, la serie BM3G0xxMUV-LB (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) dispone di funzioni e componenti periferici aggiuntivi progettati per ottenere la massima performance dagli HEMT al GaN da 650 V, vale a dire i dispositivi di potenza di prossima generazione. E le caratteristiche di ROHM, per esempio l'ampio range della tensione di pilotaggio (da 2,5 V a 30 V), assicurano la compatibilità praticamente con qualsiasi circuito integrato per controller negli alimentatori primari – il che facilita la sostituzione dei MOSFET al silicio esistenti (Super Junction). In tal modo diventa possibile ridurre simultaneamente il volume dei componenti e la perdita di potenza – rispettivamente del 99% e del 55% circa – ottenendo una maggiore efficienza con dimensioni più ridotte.

ISAAC LIN, Direttore Generale del PSADC (Power Semiconductor Applications Development Center - Centro di sviluppo delle applicazioni con semiconduttori di potenza), di Delta Electronics, Inc.
"I dispositivi GaN stanno attirando grande attenzione in vari settori in quanto contribuiscono in forte misura alla miniaturizzazione e ai risparmi energetici delle apparecchiature.

I nuovi prodotti di ROHM coniugano alta velocità e pilotaggio del gate sicuro basandosi sulla tecnologia analogica originale di ROHM. Questi prodotti favoriranno ulteriormente l'uso di dispositivi di potenza GaN, dei quali si prevede la sempre maggiore diffusione".







Line-up di prodotti
L'ampio range della tensione di pilotaggio (da 2,5 V a 30 V), il breve ritardo di propagazione e i rapidi tempi di avviamento assicurano la compatibilità praticamente con qualsiasi circuito integrato per controller negli alimentatori primari.




Esempi applicativi
Serie ottimizzata per gli alimentatori primari (circuiti AC-DC, PFC) in un gran numero di applicazioni.

Applicazioni di consumo: elettrodomestici, adattatori AC, PC, TV, frigoriferi, climatizzatori
Applicazioni industriali: server, apparecchiature per l'automazione di uffici

Informazioni sulle vendite online
Distributori: DigiKey, Mouser e Farnell I prodotti e le evaluation board saranno offerti ai distributori online non appena disponibili.
Data di lancio delle vendite: giugno 2023

Informazioni sul prodotto
Codici prodotto applicabili
BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB

Codici prodotto dell'evaluation board
BM3G007MUV-EVK-002 (PFC 240 W)

BM3G007MUV-EVK-003

BM3G015MUV-EVK-003




EcoGaN™
È la denominazione della nuova line-up di dispositivi GaN di ROHM che contribuisce alla preservazione dell'energia e alla miniaturizzazione portando ai massimi livelli le caratteristiche del GaN. L'obiettivo è di ottenere un minor consumo di potenza delle applicazioni, componenti periferici ridotti e progetti più semplici che richiedono un minor numero di componenti.

www.rohm.com

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