Toshiba introduce nuovi diodi a barriera Schottky SiC da 650V con tensione diretta di 1,2V

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) annuncia il lancio di dodici diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di silicio (SiC) da 650V basati sulla più recente tecnologia di terza generazione dell’azienda. I nuovi dispositivi sono specificamente destinati all'utilizzo in apparecchi industriali critici per l'efficienza, tra cui gli alimentatori a commutazione, le stazioni di ricarica per i veicoli elettrici (EV) e gli inverter fotovoltaici (FV).

I nuovi dispositivi, che fanno parte della serie TRSxxx65H, utilizzano la nuova giunzione Schottky. Il chip SiC SBDs di terza generazione ottimizza la struttura a barriera di giunzione Schottky (JBS) dei prodotti di seconda generazione, riducendo così il campo elettrico all'interfaccia Schottky e diminuendo la corrente di dispersione, con una maggiore efficienza.

I dispositivi di terza generazione raggiungono un valore eccellentemente basso di tensione diretta (VF) di 1,2 V (tip.). Ciò rappresenta una riduzione del 17% rispetto ai prodotti di seconda generazione. I nuovi dispositivi di terza generazione migliorano il bilanciamento tra VF e carica capacitiva totale (QC ), che è tipicamente di 17nC per il diodo TRS6E65H.

Inoltre, con il TRS6E65H, che raggiunge un valore tipico di IR di 1,1µA, il rapporto tra VF e la corrente inversa (IR) è migliorato rispetto ai prodotti di seconda generazione. Tutti questi miglioramenti riducono la dissipazione di potenza e contribuiscono a offrire livelli più elevati di efficienza all'interno delle apparecchiature finali.

I dispositivi della serie TRSxxx65H sono in grado di sopportare correnti DC dirette (IF(DC)) fino a 12 A e correnti di sovratensione non ripetitive a onda quadra IFSM fino a 640A. Sette dei nuovi dispositivi sono alloggiati in package TO-220-2L, mentre i restanti cinque sono forniti in package SMD DFN8×8 compatti e piatti.

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