Nuova Partnership per una reale multipla sorgente: Moduli di potenza Semikron Danfoss con IGBT ROHM

Semikron Danfoss e ROHM Semiconductor, azienda con quartier generale a Kyoto, collaborano da oltre un decennio per l'implementazione del carburo di silicio (SiC) all'interno dei moduli di potenza.

Kazuhide Ino, membro del C.d.A, Managing Executive Officer e CFO di ROHM (a sinistra) e Claus A. Petersen, Presidente di Semikron Danfoss (a destra).

Di recente, Semikron Danfoss ha aggiunto il nuovo IGBT RGA da 1200 V di ROHM alla propria offerta di moduli a bassa potenza. La scelta dimostra la volontà di entrambe le aziende di impegnarsi costantemente al servizio delle esigenze della clientela mondiale operante nel settore motor drives.

La crescita mondiale delle tecnologie di elettrificazione ha comportato una domanda di moduli di potenza mai vista in precedenza. Spesso è l'approvvigionamento dei chip a limitare la disponibilità di moduli di potenza. Nonostante i produttori di chip investano continuamente nelle loro capacità, le condizioni di approvvigionamento restano difficili. Di fronte a un tale contesto, ROHM ha lanciato il nuovo IGBT RGA da 1200 V, come alternativa agli ultimi dispositivi IGBT di settima generazione per le applicazioni industriali. Attualmente ROHM sta ampliando la propria offerta di die a Semikron Danfoss, posizionandosi tra le migliori alternative ai tradizionali fornitori di chip.

"Il modello RGA è un IGBT trench gate di recente progettazione, di tipo light punch-through (lievemente asimmetrico), con Tj,max = 175 °C. Le caratteristiche di conduzione, commutazione e termiche sono ottimizzate per le nuove applicazioni di pilotaggio industriali nella gamma di potenza medio-bassa. Al tempo stesso il modello RGA deve restare compatibile con le soluzioni IGBT pre-esistenti, per assicurare un approccio basato sulla multipla sorgente. In aggiunta, il dispositivo RGA è utilizzabile anche per migliorare la gestione delle sovracorrenti transitorie in condizioni di sovraccarico delle applicazioni per il pilotaggio dei motori", afferma Kazuhide Ino, membro del C.d.A, Managing Executive Officer e CFO di ROHM.

Semikron Danfoss può offrire l'IGBT RGA da 1200 V nella sua completa gamma di classi di corrente nominali da 10 A a 150 A. Gamma che, unita alla specifica funzionalità del chip RGA per le applicazioni di pilotaggio dei motori, identifica la famiglia MiniSKiiP quale package ideale. Il modulo di potenza MiniSkiiP senza base di rame (base-plate less) e con tecnologia a molla è già profondamente radicato nel mercato mondiale del pilotaggio dei motori ed ha sempre utilizzato IGBT di ultima generazione. Pertanto, per tale prodotto è importante disporre di una fonte alternativa di IGBT per diversificare la catena di approvvigionamento. La famiglia di moduli di potenza MiniSKiiP, viene proposta sul mercato come un modulo di multipla sorgente, valorizzando così un nuovo fornitore di IGBT come una preziosa alternativa.

Allo stesso modo, per applicazioni con tecnologia press-fit/ e a saldare, il package standard del settore SEMITOP E sarà disponibile in configurazioni pin-to-pin con le pre-esistenti proposte dei moduli IGBT di settima generazione. Questa famiglia di prodotti offrirà anche configurazioni circuitali nelle topologie sixpack ("GD") e converter-inverter-brake ("DGDL").

"Il settore dell'elettronica di potenza continua a trarre insegnamento dai problemi di fornitura di questi ultimi anni. Logicamente occorre che la produzione di chip e moduli per semiconduttori sia diversificata per generare moduli di potenza realmente all'insegna di un 'approvvigionamento multiplo'", dichiara Claus A. Petersen, Presidente di Semikron Danfoss. "Nel caso degli IGBT di settima generazione da 1200 V, ora è disponibile un affidabileprodotto equivalente di un rispettabile produttore, che risolve questa problematica anche nella gamma a bassa potenza. L'IGBT RGA da 1200 V di ROHM è l'alternativa perfetta agli IGBT di settima generazione e lo si può indurre a un comportamento elettrico notevolmente simile grazie a una minima regolazione della resistenza di gate", continua Peter Sontheimer, Senior Vice President della Divisione Industria e Managing Director di Semikron Danfoss.

www.rohm.com

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