Innoscience apre un centro di ricerca e sviluppo nella “GaN Valley” in Belgio guidato dal veterano del settore Dott. Jan Šonský

Il più grande produttore mondiale di dispositivi GaN-on-Si da 8 pollici svilupperà la tecnologia GaN di nuova generazione a Lovanio, in Belgio.

Innoscience, azienda nata per creare un ecosistema energetico globale basato su soluzioni di potenza al nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si) caratterizzate da prestazioni elevate e bassi costi, ha ampliato la sede europea con l’apertura di un nuovo centro di ricerca e sviluppo a Lovanio, in Belgio. La nuova attività di ricerca sui dispositivi di potenza GaN in Belgio è guidata dal Dott. Jan Šonský, entrato in Innoscience con il ruolo di Vice President of R&D. Il Dott. Jan Šonský guiderà lo sviluppo di tecnologie di nuova generazione in stretta collaborazione con il team R&D dell’azienda nel quartier generale di Innoscience.

Il Dott. Šonský si è laureato presso il Politecnico di Delft nei Paesi Bassi e ha 20 anni di esperienza nella ricerca e sviluppo nel settore dei semiconduttori. In precedenza, ha contribuito allo sviluppo di tecnologia al GaN e silicio per applicazioni in ambito mobile e automotive per un’altra grande azienda di semiconduttori, realizzando vere e proprie innovazioni tecnologiche. Il Dott. Šonský gode di grande considerazione nel settore. Ha ricoperto l’incarico di General Chair della conferenza ISPSD e, come riconoscimento dei risultati ottenuti, è entrato a far parte della ISPSD Hall of Fame nel 2021.

Il nuovo centro R&D di Innoscience si trova a Lovanio, vicino a IMEC, un rinomato centro di eccellenza per tecnologie a semiconduttori avanzate, e alla Katholieke Universiteit di Lovanio, famosa per la facoltà di elettronica. Il nuovo team R&D di Innoscience diventa così l’ultimo arrivato nella cosiddetta “GaN Valley” del Belgio.

L’azienda punta ad attirare i migliori talenti per realizzare la sua ambiziosa roadmap tecnologica e diventare leader incontrastata nelle soluzioni di potenza GaN. Il centro di ricerca e sviluppo appena creato in Europa svolgerà un ruolo importante nel migliorare le tecnologie e i prodotti GaN di Innoscience in termini di prestazioni e affidabilità, aiutando l’azienda a restare all’avanguardia dell’innovazione futura della tecnologia GaN.

Il Dott. Denis Marcon, General Manager di Innoscience Europe, ha dichiarato: "Diamo il benvenuto a Jan in Innoscience e guardiamo con grande attesa ai benefici che otterremo dal lavoro suo e del suo team. I nostri dispositivi offrono già prestazioni eccellenti sia alle basse (da 30V a 150V) sia alle alte (650V) tensioni. Ci aspettiamo che il nuovo centro R&D porti risultati ancora migliori in termini di prestazioni, riduzione delle dimensioni e massima affidabilità.”

“Innoscience punta al 100% sul nitruro di gallio,” ha aggiunto il Dott. Šonský. “Vedo una grande opportunità di promuovere la nostra tecnologia di prossima generazione, consentendo ai progettisti di elettronica di potenza in tutto il mondo e in numerosi mercati di beneficiare delle prestazioni elevate offerte da InnoGaN, rivoluzionando di conseguenza le applicazioni di potenza.”

www.innoscience.com

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