INNOSCIENCE PRESENTA UN NUOVO ALIMENTATORE DA 140 W CHE UTILIZZA INTERRUTTORI AL GAN AD ALTA E BASSA TENSIONE PER OFFRIRE EFFICIENZA E DENSITÀ DI POTENZA INEGUAGLIATE

Innoscience Technology, l’azienda fondata per creare un ecosistema globale dell’energia basato su soluzioni di alimentazione al nitruro di gallio su silicio a basso costo e altamente performanti, oggi ha annunciato il lancio di un nuovo alimentatore dimostrativo da 140 W a densità ultra-alta che utilizza i dispositivi HEMT (high-electron-mobility-transistor) al GaN ad alta e bassa tensione dell’azienda per ottenere efficienze superiori al 95% (230 V CA; 5 V / 28 A). L’alimentatore misura appena 60 x 60 x 22 mm e presenta una densità di potenza ineguagliata, pari a 1,76 W/cm3.

Spiega Denis Marcon, Direttore generale Innoscience Europe e Direttore marketing per gli Stati Uniti e l’Europa: “Impiegando per questo progetto interruttori al GaN sia per le funzioni ad alta tensione che per quelle a bassa tensione siamo riusciti a massimizzare l’efficienza anziché comprometterla con dispositivi al silicio con piu perdite. Questo è stato possibile grazie alle capacità e ai processi di produzione ad alto volume e costo contenuto di Innoscience”.

L’adattatore CA/CC a 300 kHz da 140 W utilizza una topologia CRM Totem Pole PFC + AHB. Presenta l’Innoscience INN650DA140A, un HEMT al GaN da 650 V / 140 mΩ nel package DFN da 5 x 6 mm per gli interruttori S1 e S2, l’INN650D240A da 650 V / 240 mΩ nel package DFN da 8 x 8 mm per S3 e l’INN650DA240A, un dispositivo da 650 V / 240 mΩ nel package DFN da 5 x 6 mm per S4. S5 ed S6 sono ottenuti con l’INN150LA070A, un componente LGA (Land Grid Array) da 150 V / 7 mΩ e 2,2 x 3,2 mm della gamma di HEMT al GaN a bassa tensione di Innoscience.

Aggiunge Yi Sun, General Manager presso Innoscience America e Senior Vice President Product & Engineering: “Questo dispositivo, pensato per utensili automatici e notebook USB PD3.1, presenta un’efficienza del 2% superiore rispetto a quelli al silicio, il che prova cosa può essere ottenuto se si utilizzano FET al GaN dovunque, anche in un progetto relativamente semplice”.

Fondata a dicembre 2015, Innoscience è l’unica azienda IDM (Integrated Device Manufacturer) al mondo in grado di produrre in grandi volumi dispositivi al GaN sia ad alta che a bassa tensione. Innoscience utilizza la propria tecnologia normalmente Off e vanta la più grande capacità nel settore di produzione di wafer da 200mm “GaN on Si”. Nel settore consumer, i prodotti a carica veloce hanno condotto all’adozione della tecnologia del GaN. Oggi s’inizia pure a usare il nitruro di gallio in molti altri settori e la crescita di Innoscience è sempre più rapida.

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