INNOSCIENCE DISCUTERÀ LE INNOVAZIONI NELLA TECNOLOGIA GAN
IN OCCASIONE DEL PRINCIPALE EVENTO STATUNITENSE DEDICATO ALL'ELETTRONICA DI POTENZA,
L'APPLIED POWER ELECTRONICS CONFERENCE (APEC)

Il Dott. Denis Marcon, Direttore Generale di Innoscience Europe, è stato selezionato tra i relatori di questo prestigioso evento internazionale del settore. Egli terrà una presentazione dal titolo: "Applicazioni, ottimizzazione della tecnologia e produzione di dispostivi su wafer da 8 pollici in GaN-on-Si".

Durante la presentazione, il dottor Marcon discuterà di come Innoscience sta affrontando le esigenze della produzione in volumi di wafer in GaN, dell'affidabilità del GaN e dei test avanzati che Innoscience ha eseguito sui propri dispositivi. Egli fornirà anche alcuni esempi di applicazioni che sfruttano la tecnologia dei dispositivi GaN-on-Si normalmente spenti (in modalità ad arricchimento) di Innoscience, come caricabatterie PD, convertitori DC-DC per data center e driver laser per applicazioni LiDAR.

Durante l’evento, Innoscience esporrà anche presso lo stand 200, presentando le proprie tecnologie uniche e all’avanguardia del settore. L'azienda è il più grande IDM (Integrated Device Manufacturer) del mondo completamente focalizzato sulla tecnologia GaN, con una capacità produttiva mensile di 10.000 wafer da 8 pollici. Tale capacità crescerà fino a 70.000 wafer entro il 2025.

Lo stand di Innoscience presenterà diverse demo di soluzioni a bassa e alta tensione, inclusa una collaborazione con i produttori di gate driver specializzati Heyday (www.heyday-ic.com) e MinDCet (www.mindcet.com). I dispositivi HEMT al GaN di Innoscience possono ovviamente essere utilizzati in combinazione con altri gate driver disponibili in commercio di TI, On-Semi, STM, Joulwatt, Southchip, NXP, MPS, Meraki e Nuvoltatech. I dispositivi dell'azienda spaziano dalla bassa tensione (30V-150V) all'alta tensione (650V) e sono ampiamente utilizzati in applicazioni che vanno dai caricabatterie/adattatori USB PD ai data center, ai telefoni cellulari e ai driver LED.

Il dottor Marcon ha commentato: “In qualità di leader globale nelle soluzioni di alimentazione al GaN-on-Si, è un onore essere invitato a mostrare la nostra tecnologia e le nostre competenze in occasione di questo importante evento internazionale. Non vediamo l'ora di condividere le nostre esperienze con i presenti ed esplorare ulteriori applicazioni della nostra offerta tecnologica unica: siamo in grado di progettare e produrre rapidamente in volumi elevati per supportare le esigenze dei clienti in qualsiasi parte del mondo essi si trovino".

www.innoscience.com