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Switch ad alta velocità preservano l’integrità del segnale a 64 GT/s

Toshiba supporta interfacce dati avanzate con maggiore larghezza di banda e prestazioni affidabili in ambienti industriali impegnativi.

  www.global.toshiba
Switch ad alta velocità preservano l’integrità del segnale a 64 GT/s

Toshiba ha presentato il TDS5B212MX e il TDS5C212MX, due commutatori multiplexer e demultiplexer ad alta velocità progettati per infrastrutture digitali e applicazioni industriali. Questi componenti facilitano una stabilità dell'integrità del segnale per server aziendali, sistemi robotici e tester industriali che operano in condizioni termiche estreme.

Aree di Applicazione e Contesto Operativo
Con l'aumento dei requisiti di elaborazione dei dati lungo la catena di approvvigionamento industriale, il mantenimento dell'integrità del segnale alle alte frequenze è diventato un vincolo ingegneristico primario. I commutatori di instradamento di recente rilascio sono progettati per supportare velocità di trasmissione dati rapide fino a 64 gigatransfer al secondo. Questa capacità è fondamentale per gli ingegneri hardware che sviluppano server aziendali, tester industriali automatizzati e sistemi di controllo robotico che si affidano a protocolli di comunicazione ad alta larghezza di banda. Consentendo la commutazione dinamica dei percorsi del segnale, i componenti permettono a più dispositivi a valle di condividere un'unica interfaccia ad alta velocità, ottimizzando l'architettura a livello di scheda nei dispositivi connessi e negli array di calcolo ad alta densità.

Specifiche Tecniche e Meccanismi di Instradamento dei Segnali
I commutatori multiplexer utilizzano un processo di produzione proprietario basato su silicio su isolante, denominato TarfSOI, per ottenere prestazioni ad alta frequenza. Il TDS5B212MX offre una tipica larghezza di banda differenziale di 29 gigahertz a una soglia di -3 decibel, mentre il TDS5C212MX raggiunge i 34 gigahertz. Questi parametri di larghezza di banda minimizzano direttamente la distorsione del segnale e riducono le perdite di trasmissione durante il trasferimento dei dati. L'architettura fisica del TDS5C212MX include una disposizione ottimizzata dei pin che accorcia il percorso interno del segnale, il che riduce matematicamente le riflessioni e preserva l'integrità del segnale quando si utilizzano interfacce differenziali avanzate come PCIe 6.0, USB4 versione 2.0, CXL 3.x, Thunderbolt 5 e DisplayPort 2.0. I commutatori mantengono inoltre la retrocompatibilità con le iterazioni precedenti di questi standard di interfaccia.

Implementazione Fisica e Tolleranza Ambientale
Per l'implementazione fisica, entrambi i componenti sono configurati come multiplexer a 2 ingressi e 1 uscita o demultiplexer a 1 ingresso e 2 uscite, alloggiati in un pacchetto XQFN16 compatto che misura 2,4 per 1,6 per 0,4 millimetri. Questo fattore di forma risponde ai vincoli spaziali tipici dei progetti di circuiti stampati ad alta densità presenti nell'elettronica mobile e nei sensori industriali. Inoltre, l'intervallo della temperatura operativa si estende da -40 gradi a +125 gradi Celsius, consentendo l'implementazione in ambienti industriali difficili in cui la gestione termica e la dissipazione del calore costituiscono fattori di progettazione significativi.

Contesto Aggiuntivo
Questa sezione descrive in dettaglio le specifiche tecniche e l'analisi comparativa della concorrenza non incluse nel comunicato stampa originale.

Nel mercato dei commutatori differenziali ad alta velocità, il passaggio a PCIe 6.0 e USB4 versione 2.0 richiede componenti in grado di gestire la segnalazione a modulazione di ampiezza di impulsi a 4 livelli senza indurre gravi perdite di inserzione. La larghezza di banda di 34 gigahertz del TDS5C212MX lo posiziona direttamente accanto alle soluzioni di commutazione avanzate di concorrenti come Texas Instruments e Diodes Incorporated, che offrono multiplexer simili mirati alla soglia dei 64 gigatransfer al secondo. Mentre i multiplexer standard mostrano spesso una perdita di inserzione significativa a frequenze superiori a 20 gigahertz, l'utilizzo di un processo silicio su isolante aiuta a mantenere prestazioni lineari e una bassa capacità parassita per l'intero intervallo esteso di temperature industriali compreso tra -40 e +125 gradi Celsius.

Edito da Aishwarya Mambet, redattrice di Induportals, con il supporto dell’IA.

www.toshiba.com

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