MOSFET automotive in package compatti con fianchi bagnabili

I sistemi elettronici automotive richiedono una densità di componenti sempre più elevata mantenendo al tempo stesso affidabilità e producibilità conformi agli standard di qualificazione del settore automobilistico. In questo contesto, Toshiba Electronics Europe ha introdotto cinque MOSFET automotive in package DFN2020B con fianchi bagnabili per supportare la miniaturizzazione e i processi di ispezione automatizzata.

Un design del package pensato per l’ispezione automatizzata in produzione
I nuovi dispositivi N-channel (XSM6K361NW, XSM6K519NW, XSM6K376NW, XSM6K336NW) e il MOSFET P-channel XSM6J372NW utilizzano il package DFN2020B(WF), che integra una struttura a fianchi bagnabili per migliorare l’ispezione dei giunti di saldatura durante l’assemblaggio.

Il design del package migliora la bagnabilità delle saldature rispetto al package UDFN6B di Toshiba e aumenta la visibilità del filetto di saldatura, consentendo ai sistemi di ispezione ottica automatica (AOI) di verificare in modo più affidabile la qualità delle saldature. I test meccanici hanno inoltre mostrato una resistenza al taglio dei giunti di saldatura superiore di circa il 23 % rispetto al package SOT-23F, contribuendo a migliorare la robustezza dell’assemblaggio.

Riduzione delle dimensioni per layout automotive ad alta densità
Con dimensioni tipiche di 2,0 mm × 2,0 mm × 0,6 mm, il package DFN2020B(WF) riduce l’area di montaggio di circa il 43 % e l’altezza del componente di circa il 25 % rispetto al package SOT-23F (2,4 mm × 2,9 mm × 0,8 mm).

Queste riduzioni supportano la continua miniaturizzazione dei moduli elettronici automotive, dove i vincoli di spazio sui circuiti stampati restano un fattore chiave di progettazione, in particolare nelle architetture di controllo distribuite.

Dissipazione di potenza in MOSFET compatti
Nonostante le dimensioni ridotte, i dispositivi mantengono una capacità di dissipazione di potenza relativamente elevata. Ad esempio, l’XSM6K361NW supporta una dissipazione massima di 1,84 W rispetto agli 1,2 W dell’SSM3K361R nel package SOT-23F.

Ciò consente l’utilizzo di questi componenti in applicazioni che richiedono dispositivi di commutazione compatti ad alta potenza, tra cui convertitori DC-DC nelle unità di controllo elettroniche (ECU) e circuiti di commutazione del carico nei sistemi di illuminazione a LED.

Qualificazione automotive e sviluppi futuri
I MOSFET sono conformi ai requisiti di affidabilità automotive AEC-Q101 e al Production Part Approval Process (PPAP) definito dallo standard di gestione della qualità automotive IATF 16949.

Toshiba ha inoltre indicato l’intenzione di ampliare ulteriormente il proprio portafoglio MOSFET basato sul package DFN2020B(WF), inclusi futuri MOSFET 2-in-1 destinati ad applicazioni automotive.

Edito dalla giornalista industriale Aishwarya Mambet, con assistenza dell’IA.

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