MOSFET SiC compatti offrono prestazioni termiche ed elettriche superiori
ROHM introduce MOSFET SiC a basso profilo in package TOLL, progettati per migliorare l’efficienza termica e la densità di potenza nei sistemi industriali ed energetici compatti.
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Come i sistemi industriali ed energetici compatti beneficiano dei MOSFET SiC ad alta efficienza in package TOLL
I sistemi di alimentazione avanzati, come server AI, piattaforme di accumulo energetico ed inverter fotovoltaici compatti, richiedono sempre più componenti in grado di supportare una maggiore densità di potenza mantenendo al contempo design più piccoli e a basso profilo. Con l’aumento delle richieste di potenza – in particolare nelle architetture PFC totem pole ultrasottili, dove lo spessore dei semiconduttori deve rimanere sotto i 4 mm – gli sviluppatori devono combinare elevata capacità di gestione della potenza con riduzione della resistenza termica e dell’area occupata sul PCB.
Maggiore capacità termica e dimensioni ridotte
Per rispondere a queste esigenze, ROHM ha avviato la produzione di massa della serie di MOSFET SiC SCT40xxDLL nel package TOLL (TO-Leadless). Rispetto ai dispositivi TO-263-7L con valori simili di tensione e resistenza di conduzione, il nuovo package offre un miglioramento termico di circa il 39 percento. Ciò consente un funzionamento stabile ad alta potenza in applicazioni in cui la dissipazione del calore limita l’efficienza del sistema, supportando design con maggiore densità di potenza senza aumentare l’altezza del componente.
La struttura TOLL riduce inoltre l’area occupata di circa il 26 percento e raggiunge uno spessore ridotto di 2,3 mm, quasi la metà dei package convenzionali. Queste caratteristiche rendono la serie ideale per alimentatori compatti di server, sistemi ESS e applicazioni di elettronica di potenza con vincoli di spazio, dove altezza e area del PCB sono fattori critici.
Maggiore capacità di tensione per prestazioni di sistema più robuste
A differenza di molti dispositivi in package TOLL limitati a 650 V, la serie ROHM supporta tensioni drain-source fino a 750 V. Questo margine di tensione più elevato consente l’uso di resistenze di gate inferiori, migliora la gestione dei picchi di tensione e riduce le perdite di commutazione. Tali vantaggi elettrici sono particolarmente rilevanti nelle architetture ad alta efficienza e alta frequenza utilizzate negli alimentatori per server ad alta densità energetica e nei convertitori di energia rinnovabile di nuova generazione.
Disponibilità e supporto alla progettazione
La gamma comprende sei modelli con valori di resistenza di conduzione compresi tra 13 mΩ e 65 mΩ, con produzione di massa avviata a settembre 2025. I dispositivi sono disponibili tramite distributori come DigiKey, Mouser e Farnell. ROHM mette inoltre a disposizione modelli di simulazione per tutti e sei i prodotti sul proprio sito ufficiale, a supporto della valutazione rapida durante la progettazione dei circuiti.
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