Toshiba lancia il MOSFET DTMOSVI Super Junction Power

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») lancia un MOSFET a super giunzione a canale N da 600 V realizzato nel processo DTMOSVI 600 V e alloggiato in un package compatto DFN8×8. Il TK057V60Z offre una tensione drain-source (VDSS) di 600 V con una corrente di drain (ID) fino a 40 A. Il valore tipico della resistenza di drain-source (RDS(ON)) è di appena 0,047 Ω (0,057 Ω max.), e il valore tipico di carica di gate (Qgd) è di soli 15 nC. Il dispositivo ad alta efficienza e il package compatto massimizzano la densità di potenza negli apparecchi industriali. Le applicazioni includono gli alimentatori a commutazione per i server dei data center, i gruppi di continuità e i convertitori di potenza fotovoltaici.

Nella serie di dispositivi DTMOSVI da 600 V, che include il MOSFET TK057V60Z, Toshiba ha ottimizzato la progettazione e il processo di produzione dei gate per ottenere una riduzione di circa il 36 % della figura di merito (FoM), definita come RDS(ON) x Qg e una riduzione di circa il 52 % del parametro RDS(ON) x Qdg, rispetto ai valori della serie esistente DTMOSIV-H a parità di tensione nominale. Questi miglioramenti riducono le perdite di conduzione, di pilotaggio e di commutazione, aumentando significativamente l’efficienza nei circuiti di alimentazione. Inoltre, l'adozione del minuscolo package DFN8×8 a montaggio superficiale consente agli ingegneri di ridurre le dimensioni degli apparecchi finali. Un pin sorgente Kelvin consente il controllo corretto del gate e contribuisce a evitare l'impatto dell'induttanza parassita sul pin di alimentazione.

Toshiba offre tool a supporto della progettazione circuitale degli alimentatori a commutazione. Oltre al modello G0 SPICE, che verifica rapidamente il funzionamento del circuito, sono attualmente disponibili i modelli G2 SPICE altamente accurati che riproducono con precisione le caratteristiche in transitorio.

www.toshiba.it