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Rohde & Schwarz

Rohde & Schwarz facilita la caratterizzazione della propagazione sui canali sub-THz per le future reti 6G

Lo sviluppo delle comunicazioni nelle bande sub-THz, come previsto per la rete 6G, sarà possibile solo attraverso una solida comprensione delle proprietà di propagazione delle onde elettromagnetiche in tale porzione dello spettro. Il potenziale utilizzo della nuova banda di frequenze (tra 100 GHz e 330 GHz) a livello mondiale, sta suscitando grande interesse ed è stata quindi al centro di recenti campagne di misura eseguite da Rohde & Schwarz. I risultati ottenuti hanno contribuito a stilare la relazione presentata dal gruppo di lavoro 5D (W5PD) dell'ITU-R e che porterà le informazioni sulla relazione all’ITU (Internaional Tlecommunication Union) nell’ambito del World Radio Conference 2023, dove si prevede una discussione sull’assegnazione delle frequenze superiori.

Rohm Semiconductors News

ROHM nomina Aly Mashaly nuovo Direttore responsabile dell'Application and Technical Solution Center europeo

A decorrere dal 1° gennaio, Aly Mashaly è subentrato nel ruolo di Direttore responsabile dell'Application and Technical Solution Center (ATSC) europeo di ROHM a Günter Richard, che è andato in pensione dopo 32 anni di servizio per ROHM.

NXP News

NXP presenta la nuova gamma di radar altamente integrati per dispositivi ADAS di nuova generazione e sistemi di guida autonoma

NXP Semiconductors che, secondo Yole Intelligence, detiene la quota più alta nel mercato dei radar per automotive, ha annunciato una nuova gamma di circuiti integrati radar basati su tecnologia RFCMOS da 28 nm per la prossima generazione di dispositivi ADAS e di sistemi di guida autonoma.

OMRON News

OMRON Automotive Electronics Italy migliora la qualità dei relè con il monitoraggio dei dati in tempo reale

Miglioramento della linea di produzione dei relè G8HN e dell'alimentazione con la competenza dei servizi dati i-BELT, raggiungimento del controllo di qualità al 100%, riduzione dei costi e rapido ritorno sull'investimento nell'industria automobilistica.

OMRON News

Omron lancia due nuovi relè MOSFET

Presentati da Omron un relè MOSFET a elevata rigidità dielettrica e alta temperatura di esercizio e un relè MOSFET miniaturizzato ultra-reattivo.

Rohm Semiconductors News

I MOSFET SiC di ROHM di quarta generazione saranno utilizzati negli inverter Hitachi Astemo destinati ai veicoli elettrici

ROHM ha recentemente annunciato l'adozione dei suoi nuovi MOSFET SiC di quarta generazione e dei circuiti integrati per gate driver negli inverter per veicoli elettrici da parte di Hitachi Astemo, Ltd, azienda giapponese leader nella produzione di parti destinate al settore automotive.

FAULHABER GROUP

FAULHABER DRIVE CALCULATOR

FAULHABER Drive Calculator è lo strumento perfetto per consentire agli sviluppatori di trovare un sistema di azionamento adatto a un'applicazione specifica in tempo record.

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