Innoscience ad APEC: la tecnologia GaN è “tutta intorno a noi”

Il più grande produttore mondiale di HEMT al nitruro di gallio su silicio da 8 pollici presenta demo per l utilizzo di GaN nelle applicazioni commerciali di uso odierno, autoveicoli e datacenter. Presentando anche numerosi studi e nuovi prodotti.

Innoscience Technology, azienda nata per creare un ecosistema energetico globale basato su soluzioni di potenza al nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si) con prestazioni elevate e costi contenuti, sarà in prima fila alla prossima edizione di Applied Power Electronics Conference a Orlando, in Florida, dal 19 al 23 marzo 2023, presso l’Orange County Convention Center.

Figure di spicco di Innoscience terranno tre presentazioni:

• Ore 11.30, 21 marzo, Dott. Marcon Denis, General Manager di Innoscience Europe: “Interruttori GaN ad alte prestazioni per applicazioni in bassa e alta tensione su piattaforme tecnologiche GaN-on-Si da 8 pollici con costi ottimizzati.”
• Ore 10.40, 22 marzo, Dott. Pengju Kong, VP Product Design Engineering: “Soluzioni GaN integrate per applicazioni BT: efficienza e frequenza operativa raggiungono nuovi livelli.”
• Ore 9.20, 23 marzo, Dott. Pengju Kong, VP Product Design Engineering: “Convertitore bidirezionale da 48V a 12V, con tecnologia All-GaN da 2.4kW, con interruttore di carico BiGaN per veicoli elettrici ibridi leggeri (MHEV).’

Lo stand 310 di Innoscience proporrà interessanti demo che utilizzano i dispositivi di potenza GaN di Innoscience (InnoGaN™) nei seguenti ambiti:InnoGaN in Life, InnoGaN in Automotive e InnoGaN in Datacenters.

InnoGaN in Life
Quest’area mostrerà come la tecnologia GaN sia ormai pervasiva nella nostra vita quotidiana, proponendo le seguenti demo:

• smartphone di Oppo e RealMe che mostrano come il dispositivo GaN bidirezionale di Innoscience (VGaNTM) sia in grado di sostituire due MOSFET al silicio, offrendo una soluzione con dimensioni dimezzate e maggiore efficienza rispetto ad altre soluzioni basate su silicio;
• alimentatore di accumulo da 3kW per ambienti esterni che riduce le dimensioni delle batterie portatili;
• caricabatteria per elettromobilità di Yadea realizzati con InnoGaN per scooter elettrici più efficienti e compatti di qualsiasi soluzione che utilizzi dispositivi al silicio;
• demo audio in classe D da 300W per un’esperienza audio perfetta ed efficienza energetica superiore;
• driver LED da 200W con tecnologia GaN che, rispetto alla soluzione al silicio, risulta più piccolo, sottile ed efficiente.

InnoGaN in Automotive
L’industria automobilistica sta rispondendo molto positivamente alla tecnologia GaN. Innoscience presenterà le seguenti demo:

• sistemi LIDAR di Hesai con InnoGaN a 100V per guidare il laser di LIDAR;
• un convertitore bidirezionale 48V-12V a 2,4kW per veicoli elettrici ibridi leggeri MEHV;
• convertitori Buck Boost compatti ad alta potenza da 150W per carica batteria a bordo dei autoveicoli;
• uno stadio di potenza per azionamento di motore trifase nel quale tre dispositivi SolidGaNTM a mezzo ponte di Innoscience sostituiscono nove parti in silicio;
• soluzione GaN per amplificatore audio in Classe D per una soluzione più efficiente e qualità audio superiore.

InnoGaN in Datacenters
Innoscience offre una soluzione per ogni stadio della conversione di potenza che si verifica all’interno di un datacenter, per aumentare l’efficienza, la compattezza e l’economicità con un numero minore di componenti:

• alimentatore da 2kW PSU e PFC da 4kW per la prima conversione di potenza AC/DC con dimensioni molto più compatte e maggiore efficienza rispetto a una soluzione al silicio e con densità di potenza di 150W/in3
• conversione DC-DC 48V-12V a 480W e 600W realizzata con InnoGaN discreto in bassa tensione con efficienza molto superiore e dimensioni dimezzate rispetto a una soluzione al silicio
• conversione DC-DC 48V-12V a 1kW realizzata con SolidGaNTMISG3201 (mezzo ponte integrato con driver) per garantire le migliori prestazioni in termini di efficienza e compattezza, con una densità di potenza fino a 2150 W/in3
• soluzione VCore per lo stadio di conversione DC-DC finale fino a 1V per la CPU.

www.innoscience.com

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