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Il più grande produttore mondiale di dispositivi GaN-on-Si da 8 pollici collaborerà con l’Innovation Hub tedesco per l’elettronica di potenza

Innoscience firma un accordo di distribuzione con Finepower per offrire ai clienti europei e cinesi servizi di design-in specializzati.

Il più grande produttore mondiale di dispositivi GaN-on-Si da 8 pollici collaborerà con l’Innovation Hub tedesco per l’elettronica di potenza

Innoscience Technology, azienda nata per creare un ecosistema energetico globale basato su soluzioni di potenza al nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si), con prestazioni elevate e bassi costi, ha firmato un accordo di distribuzione con Finepower, società di progettazione e distribuzione specializzata in applicazioni di elettronica di potenza, con sedi operative in Germania e in Cina.

"Finepower si autodefinisce polo di innovazione per i semiconduttori di potenza, per i quali offre servizi sia di progettazione, sia di distribuzione. Pertanto, siamo certi che sarà un partner d’eccellenza per Innoscience, sia nel presentare al mercato gli alti livelli di prestazioni e affidabilità offerti dalle nostre soluzioni InnoGaN, sia nel garantire ai clienti una supply chain sicura,"
 L’accordo riguarda l’Europa, la Cina e clienti specifici in tutto il mondo. Il Dott. Denis Marcon, General Manager di Innoscience Europe, ha dichiarato.

"Finepower vanta già una lunga esperienza nell’affiancamento ai clienti per lo sviluppo di applicazioni con tecnologia GaN. Siamo entusiasti di arricchire la nostra offerta con dispositivi GaN ad alta tensione inserendo nel nostro portafoglio Innoscience, il più grande produttore mondiale di dispositivi GaN-on-Si da 8 pollici. Con una capacità produttiva di 10.000 wafer da 8 pollici al mese (WPM), che aumenterà a 70.000 WPM entro il 2025, Innoscience consentirà a tutto il mondo di cominciare a progettare con la tecnologia GaN fin da subito, senza ulteriori rinvii. Questa possibilità darà una fortissima spinta a tutti i mercati," Adds Reiko Winkler, General Manager of Finepower.

www.innoscience.com

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