ROHM presenta MOSFET SiC di 5ª generazione per migliorare l’efficienza

L’elettronica di potenza, la mobilità elettrica e le infrastrutture energetiche dipendono sempre più da tecnologie a semiconduttore ad alta efficienza. In questo contesto, ROHM Co., Ltd. ha sviluppato i suoi MOSFET SiC di 5ª generazione all’interno della serie EcoSiC™, progettati per ridurre le perdite di potenza e migliorare le prestazioni in applicazioni ad alta potenza come i sistemi di trazione dei veicoli elettrici, gli alimentatori per server IA e i sistemi energetici industriali.

I nuovi dispositivi si basano sulla tecnologia al carburo di silicio (SiC), che sta guadagnando diffusione grazie alla sua capacità di gestire alte tensioni, temperature e frequenze di commutazione in modo più efficiente rispetto ai componenti tradizionali basati sul silicio.

Riduzione della resistenza di conduzione per funzionamento ad alte temperature
Un miglioramento chiave nei MOSFET SiC di 5ª generazione è la riduzione della resistenza di conduzione di circa il 30% a una temperatura di giunzione di 175 °C rispetto ai dispositivi della precedente 4ª generazione, in condizioni equivalenti di tensione e dimensione del chip.

Questa riduzione è ottenuta tramite miglioramenti strutturali e processi produttivi ottimizzati, con conseguenti:

Queste caratteristiche sono particolarmente rilevanti per applicazioni come gli inverter di trazione nei veicoli elettrici, dove la gestione termica e l’efficienza incidono direttamente sull’autonomia e sulle dimensioni del sistema.

Supporto alle applicazioni ad alta potenza in diversi settori
Gli ultimi MOSFET SiC sono progettati per un’ampia gamma di applicazioni che richiedono una conversione di potenza efficiente:

La crescente domanda di calcolo ad alte prestazioni e di elettrificazione sta guidando la necessità di componenti in grado di ridurre al minimo le perdite di energia supportando al contempo densità di potenza più elevate.

Affrontare le sfide di efficienza energetica nelle infrastrutture moderne
La crescita dell’IA generativa e delle applicazioni ad alta intensità di dati sta aumentando il fabbisogno energetico di data center e sistemi industriali. Allo stesso tempo, l’integrazione di fonti di energia rinnovabile nelle reti intelligenti richiede tecnologie efficienti di conversione e accumulo dell’energia.

I dispositivi SiC svolgono un ruolo fondamentale in questi contesti riducendo le perdite durante la conversione dell’energia, contribuendo a un uso più efficiente della potenza disponibile e supportando un funzionamento stabile in condizioni di carico elevato.

Evoluzione della tecnologia SiC e adozione nel mercato
ROHM è attiva nello sviluppo del SiC sin dall’avvio della produzione di massa dei MOSFET SiC nel 2010. I suoi precedenti dispositivi di 4ª generazione sono stati ampiamente adottati in applicazioni automobilistiche e industriali, supportati dalla conformità a standard come AEC-Q101 per l’affidabilità automobilistica.

L’introduzione della 5ª generazione rappresenta un ulteriore passo verso una più ampia adozione della tecnologia SiC, in particolare mentre il settore si orienta verso una maggiore efficienza e design di sistema più compatti.

Disponibilità e sviluppi futuri
ROHM ha iniziato a supportare versioni bare die dei MOSFET SiC di 5ª generazione nel 2025, con lo sviluppo completo terminato a marzo 2026. Le spedizioni di campioni di dispositivi discreti e moduli sono previste a partire da luglio 2026.

L’azienda prevede di ampliare la gamma di prodotti con ulteriori livelli di tensione e opzioni di package, insieme allo sviluppo continuo di strumenti di progettazione e supporto applicativo per facilitare l’integrazione in vari sistemi di elettronica di potenza.

Migliorando l’efficienza e consentendo prestazioni più elevate in applicazioni impegnative, gli ultimi MOSFET SiC contribuiscono al progresso delle soluzioni di elettronica di potenza nei settori automobilistico, industriale ed energetico.

Modificato da Natania Lyngdoh, redattrice di Induportals — Adattato dall'IA.

www.rohm.com